金融界2024年12月21日音书尊龙凯时体育，国度学问产权局信息泄漏，联华电子股份有限公司央求一项名为“具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构过甚制作措施”的专利，公开号CN 119153459 A，央求日历为2023年7月。

专利摘抄泄漏，本发明公开一种具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构过甚制作措施，其中该具有深沟槽绝缘和浅沟槽绝缘的半导体结构包含一基底，基底分为一高压晶体管区和一低压晶体管区，一深沟槽成立于高压晶体管区，其中深沟槽包含一第一沟槽和一第二沟槽，其中第一沟槽包含一第一底部，第二沟槽由第一底部启动往基底的底部蔓延，一第一浅沟槽和一第二浅沟槽成立于低压晶体管区，其中第一浅沟槽的长度和第二沟槽的长度接洽，一绝缘层隔离填满第一沟槽、第二沟槽、第一浅沟槽和第二浅沟槽。

本文源自：金融界

作家：谍报员/阅读下一篇/复返网易首页下载网易新闻客户端尊龙凯时体育